（1）基极间电阻Rbb 发射极开路时，基极b1、b2之间的电阻，一般为2--10千欧，其数值随温度上升而增大。

　　（2）分压比η 由管子内部结构决定的常数，一般为0.3--0.85。

　　（3）eb1间反向电压Vcb1 b2开路，在额定反向电压Vcb2下，基极b1与发射极e之间的反向耐压。

　　（4）反向电流Ieo b1开路，在额定反向电压Vcb2下，eb2间的反向电流。

　　（5）发射极饱和压降Veo 在最大发射极额定电流时，eb1间的压降。

　　（6）峰点电流Ip 单结晶体管刚开始导通时，发射极电压为峰点电压时的发射极电流

　　单结晶体管的外形很象晶体三极管，它也有三个电极，称为发射极e，第一基极b1，第二基极b2，又叫双基极二极管。因为只有一个PN结所以又称为单结晶体管。外形及符号如图(a)、(b)所示。图中发射极箭头指向b1，表示经PN结的电流只流向b1极。单结管的等效电路如图(C)所示，rb1表示e与b1之间的等效电阻，它的阻值受e-b1间电压的控制，所以等效为可变电阻。两个基极之间的电阻用Rbb表示，即：Rbb=Rb1+Rb2，Rb1与Rbb的比值称为分压比h=Rb1/Rbb，h一般在0.3～0.8之间。

　　两基极b1与b2之间的电阻称为基极电阻：

　　rbb=rb1+rb2

　　式中：rb1----第一基极与发射结之间的电阻，其数值随发射极电流ie而变化；rb----为第二基极与发射结之间的电阻，其数值与ie无关；发射结是PN结，与二极管等效。

　　若在基极b2、b1间加上正电压Vbb，则A点电压为：

　　VA=[rb1/(rb1+rb2)]vbb=(rb1/rbb)vbb=ηVbb