根据IPAS的定义，MCM技术是将多个LSI/VLSI/ASIC裸芯片和其它元器件组装在同一块多层互连基板上，然后进行封装，从而形成高密度和高可靠性的微电子组件。根据所用多层布线基板的类型不同，MCM可分为叠层多芯片组件(MCM –L)、陶瓷多芯片组件(MCM -C)、淀积多芯片组件(MCM -D)以及混合多芯片组件(MCM –C/D)等。

　　MCM－L 是使用通常的玻璃环氧树脂多层印刷基板的组件。布线密度不怎么高，成本较低。

　　MCM－C 是用厚膜技术形成多层布线，以陶瓷(氧化铝或玻璃陶瓷)作为基板的组件，与使

　　用多层陶瓷基板的厚膜混合IC 类似。两者无明显差别。布线密度高于MCM－L。

　　MCM－D 是用薄膜技术形成多层布线，以陶瓷(氧化铝或氮化铝)或Si、Al 作为基板的组件。

　　布线密谋在三种组件中是最高的，但成本也高。

　　多芯片组件是在高密度多层互连基板上，采用微焊接、封装工艺将构成电子电路的各种微型元器件(IC裸芯片及片式元器件)组装起来，形成高密度、高性能、高可靠性的微电子产品(包括组件、部件、子系统、系统)。它是为适应现代电子系统短、小、轻、薄和高速、高性能、高可靠、低成本的发展方向而在PCB和SMT的基础上发展起来的新一代微电子封装与组装技术，是实现系统集成的有力手段。

　　多芯片组件已有十几年的历史，MCM组装的是超大规模集成电路和专用集成电路的裸片，而不是中小规模的集成电路，技术上MCM追求高速度、高性能、高可靠和多功能，而不像一般混合IC技术以缩小体积重量为主。

　　典型的MCM应至少具有以下特点[2]：

　　(1)MCM是将多块未封装的IC芯片高密度安装在同一基板上构成的部件，省去了IC的封装材料和工艺，节约了原材料，减少了制造工艺，缩小了整机／组件封装尺寸和重量。

　　(2)MCM是高密度组装产品，芯片面积占基板面积至少20％以上，互连线长度极大缩短，封装延迟时间缩小，易于实现组件高速化。

　　(3)MCM的多层布线基板导体层数应不少于4层，能把模拟电路、数字电路、功率器件、光电器件、微波器件及各类片式化元器件合理而有效地组装在封装体内，形成单一半导体集成电路不可能完成的多功能部件、子系统或系统。使线路之间的串扰噪声减少，阻抗易控，电路性能提高。