最早的表面安装技术--倒装芯片封装技术（FC）形成于20世纪60年代，同时也是最早的球栅阵列封装技术（BGA）和最早的芯片规模封装技术（CSP）。

　　倒装芯片封装技术为1960年IBM公司所开发，为了降低成本，提高速度，提高组件可靠性，FC使用在第1层芯片与载板接合封装，封装方式为芯片正面朝下向基板，无需引线键合，形成最短电路，降低电阻；采用金属球连接，缩小了封装尺寸，改善电性表现，解决了BGA为增加引脚数而需扩大体积的困扰。再者，FC通常应用在时脉较高的CPU或高频RF上，以获得更好的效能，与传统速度较慢的引线键合技术相比，FC更适合应用在高脚数、小型化、多功能、高速度趋势IC的产品中。

　　1.形成凸点技术

　　凸点形成技术分为几个简单的类型，即淀积金属、机械焊接、基于聚合物的胶粘剂以及别的组合物。最初的C4高铅含量焊料凸点，熔点在300℃以上，被低共熔焊料和胶粘剂代替，从而使压焊温度下降到易于有机PCB承受的范围。然而，如果低共熔焊膏作为接合材料使用，那么C4仍可用于FR-4上。

　　1.1 机械形成凸点技术

　　十多年前，IBM公司和K&S公司开发了球凸点形成工艺技术，称为柱式凸点形成技术。此工艺过程首先涉及到对铝芯片载体的球压焊技术，接着把焊丝拉到断裂点，最后形成有短尾部的凸点。为了在球附近形成光滑的断裂口，可使用含有1%铂的金丝。焊料和别的金属也是起作用的。很多改变是明显的，包括平面性方面的凸点精压技术和更高、更复杂的金属化的双凸点形成技术。柱式凸点形成技术，长期使用于试制形式。由于通过引线键合机获得了惊人的速度，已移入生产模式。金和金凸点及焊料凸点均被实施。Delco公司和K&S公司联合生产柱式凸点的倒装芯片产品，别的公司在不远的将来预计生产凸点芯片。

　　1.2 金属电镀技术

　　电镀技术要求首先形成总线接头，选择电镀掩模，并用于TAB的金凸点芯片技术。虽然通过在晶圆片上方汽相淀积金属，在典型状况下形成总线，但是总线必须能被清除。再者，必须提供光成像电镀保护膜，在电镀之前成像并显影。很多步骤和精确的电镀掩模工艺的要求增加了成本和不便因素。

　　化学镀是无掩模和无总线的方法，看上去是一种较好的方法。该技术已广泛地应用于印刷电路行业，但是化学形成凸点的技术仅仅是近年来才应用于倒装芯片的。化学镀镍，也许由于其非常精确的化学性质，已呈现为首要的且普遍的化学倒装片凸点技术工艺。如果铝没有直接与镍一起电镀，就可使用中间浸液电镀锌技术。图2示出了最普遍的镍凸点技术顺序。注意到在典型状况下，镍受到薄的、易于产生浸液的金涂层保护。形成的金毛刺适于焊接及胶粘剂压焊。