RAM主要有存储矩阵、地址译码器和读/写控制电路（I/O控制电路）三部分组成。

　　1.存储矩阵（数据线）

　　上图中点画线框内的美国小方块都代表一个存储单元，可以存储1位二值代码，存储单元可以是静态的（触发器），也可以是动态的（动态MOS存储单元）。这些存储单元一般都按阵列形式排列，形成存储矩阵，其目的是使地址译码更简单。

　　2.地址译码器（地址线）

　　分行地址译码器和列地址译码器两部分。

　　3.片选与I/O控制电路（控制线）

　　当一片RAM集成块不能满足存储容量的要求时，可以用若干片RAM连接成一个存储容量更大的满足要求的RAM，扩大存储容量的方法，通常有位扩展和字扩展两种。

　　1．位扩展

　　存储器芯片的字长多数为1位、4位、8位等。当实际的存储系统的字长超过存储器芯片的字长时，需要进行位扩展。

　　位扩展方法：芯片的并联(地址线、控制线共用，数据线合并)

　　例如：下图为用两片8K×8位的芯片实现的8K×16位的存储器。

　　2．字扩展

　　方法：地址线、数据线和读写控制线连接在一起，而外加译码器控制各个芯片的片选端(/CS)。下图是四片8K×8 位RAMà32K×8 位。

　　图中，译码器的输入是高位地址A14、A13，译码器的输出连接各片RAM的片选信号。若A14A13=01，则RAM(2)片的/CS=0，其余各片RAM的/CS均为1，故选中第二片。读出的内容则由低位地址A12～A0决定。显然，四片RAM轮流工作，任何时候，只有一片RAM处于工作状态，整个系统字数扩大了四倍，而字长仍为八位。