动态随机存取存储器是一种使用场效应管栅极、电容作储存元件的MOS存储器，输入数据以动态形式予以存储。DRAM只能将数据保持很短的时间，为了保持数据，DRAM必须隔一段时间刷新（refresh）一次。如果存储单元没有被刷新，数据就会丢失。

　　最初，DRAM多使用于关键的存储器中。由于在现实中电容会有漏电的现象，导致电位差不足而使记忆消失，因此除非电容经常周期性地充电，否则无法确保记忆长存。由于这种需要定时刷新的特性，因此被称为“动态”存储器。

　　与SRAM相比，DRAM的优势在于结构简单——每一个位的数据都只需一个电容跟一个晶体管来处理，相比之下在SRAM上一个位通常需要六个晶体管。因此，DRAM拥有非常高的密度，单位体积的容量较高，所以成本较低。但相反的，DRAM也有访问速度较慢，耗电量较大的缺点。

　　与大部分的随机存取存储器（RAM）一样，由于存在DRAM中的数据会在电力切断以后立刻消失，因此它属于一种易失性存储器（volatile memory）设备。