●欠压闭锁功能

　　●自适应贯通保护功能

　　●自举电源电压至 114V

　　●1.4A 峰值顶端栅极上拉电流

　　●1.75A 峰值底端栅极上拉电流

　　●耐热增强型 8 引脚 MSOP 封装

　　●宽 VCC 电压：4.5V 至 13.5V

　　●1.5Ω 顶端栅极驱动器下拉电阻

　　●0.75Ω 底端栅极驱动器下拉电阻

　　●5ns 顶端栅极下降时间驱动 1nF 负载

　　●8ns 顶端栅极上升时间驱动 1nF 负载

　　●3ns 底端栅极下降时间驱动 1nF 负载

　　●6ns 底端栅极上升时间驱动 1nF 负载

　　●可驱动高压侧和低压侧 N 沟道 MOSFET

　　MOSFET 驱动器的功耗包含三部分：

　　1. 由于MOSFET栅极电容充电和放电产生的功耗。

　　与MOSFET栅极电容充电和放电有关。这部分功耗通常是最高的，特别在很低的开关频率时。

　　2. 由于MOSFET 驱动器吸收静态电流而产生的功耗。

　　高电平时和低电平时的静态功耗。

　　3. MOSFET 驱动器交越导通（穿通）电流产生的功耗。

　　由于MOSFET 驱动器交越导通而产生的功耗，通常这也被称为穿通。这是由于输出驱动级的P沟道和N 沟道场效应管（FET）在其导通和截止状态之间切换时同时导通而引起的。

　　●分布式电源架构

　　●汽车电源