MRAM兼具非易失、高速度、高密度、低耗等各种优良特性，所以被认为是电子设备中的理想存储器。另外，MRAM由于是金属材料为主，因此抗辐射能力远较半导体材料强 。

　　与现有的静态存储器SRAM、动态存储器DR AM和快闪存储器 F l a s h相比，MRAM性能都足非常优秀的。

　　MRAM所带来的另一个好处：允许将多种存储器功能集成到一个芯片上，从而削减对多个仔储器的需求、相应的成体和设备的大小．降低系统的复杂性 ，提高成本效益并延长电池寿命。

　　MRAM 之所以具有这样的性能，是由于与传统的 RAM 不同，它是靠磁场极化的形式，而不是靠电荷的形式来保存数据的。MRAM 的存储单元的结构如图 2 所示，它由三个层面构成，最上面的成为自由层，中间的是隧道栅层，下面的是固定层。自由层的磁场极化方向是可以改变的，而固定层的磁场方向固定不变。当自由层与固定层的磁场方向平行时，存储单元呈现低电阻；当磁场方向相反时，呈现高电阻。MRAM通过检测存储单元电阻的高低，来判断所存储的数据是 0还是1。

　　图 3 更加清楚地展示了 MRAM 存储单元的结构和读写方法。图中下方左侧是一个晶体管，当它导通时，电流可流过存储单元 MTJ(磁性隧道结)，通过与参考值进行比较，判断存储单元阻值的高低，从而读出所存储的数据。当晶体管关断时，电流可流过编程线 1 和编程线 2(图中 Writeine 1 和 Write Line 2)，在它们所产生的编程磁场的共同作用下，使自由层的磁场方向发生改变，从而完成编程的操作。