晶体管的结构原理和符号

• 　　晶体管由两个PN结构成，PN结是由两种不同导电类型半导体材料组成，即P型材料(POSITIVE，导电载流子为空穴)和N型材料(NEGATIVE，导电载流子为电子) 。三极管按极性分NPN和PNP型：

晶体管的封装形式

晶体管的分类

• 　　按功能和用途分类

  　　晶体管按功能和用途可分为低噪声放大晶体管、中高频放大晶体管、低频放大晶体管、开关晶体管、达林顿晶体管、高反压晶体管、带阻晶体管、带阻尼晶体管、微波晶体管、光敏晶体管和磁敏晶体管等多种类型。

  　　按半导体材料和极性分类

  　　按晶体管使用的半导体材料可分为硅材料晶体管和锗材料晶体管。按晶体管的极性可分为锗NPN型晶体管、锗PNP晶体管、硅NPN型晶体管和硅PNP型晶体管。

  　　按结构及制造工艺分类

  　　晶体管按其结构及制造工艺可分为扩散型晶体管、合金型晶体管和平面型晶体管。

  　　按电流容量分类

  　　晶体管按电流容量可分为小功率晶体管、中功率晶体管和大功率晶体管。

  　　按工作频率分类

  　　晶体管按工作频率可分为低频晶体管、高频晶体管和超高频晶体管等。

  　　按封装结构分类

  　　晶体管按封装结构可分为金属封装（简称金封）晶体管、塑料封装（简称塑封）晶体管、玻璃壳封装（简称玻封）晶体管、表面封装（片状）晶体管和陶瓷封装晶体管等。其封装外形多种多样。

晶体管的电参数介绍

• 　　PC 指集电极最大允许耗散功率，使用时不能超过此功率，

  　　IC 指集电极允许最大直流电流

  　　IB 指基极允许最大直流电流

  　　Tj  结温度，指PN结温度

  　　VCEO（集电极—发射极击穿电压）基极开路，C、E之间的反向击穿电压。