1、 击穿电压V(BR) ：器件在发生击穿的区域内， 在规定的试验电流I(BR) 下， 测得器件两端的电压称为击穿电压，在此区域内， 二极管成为低阻抗的通路。

　　2、 最大反向脉冲峰值电流IPP ：在反向工作时， 在规定的脉冲条件下， 器件允许通过的最大脉冲峰值电流。 IPP 与最大箝位电压Vc(MAX) 的乘积， 就是瞬态脉冲功率的最大值。 使用时应正确选取瞬变抑制二极管， 使额定瞬态脉冲功率PPR 大于被保护器件或线路可能出现的最大瞬态浪涌功率。

　　3、 最大反向工作电压VRWM（或变位电压）：器件反向工作时， 在规定的 IR 下， 器件两端的电压值称为最大反向工作电压VRWM。 通常 VRWM =（0. 8~0. 9） V (BR) 。 在这个电压下， 器件的功率消耗很小。

　　4、 最大箝位电压Vc(max ) ：在脉冲峰值电流Ipp 作用下器件两端的最大电压值称为最大箝位电压。 使用时， 应使 Vc(max ) 不高于被保护器件的最大允许安全电压。 最大箝位电压与击穿电压之比称为箝为系数。

　　5、 反向脉冲峰值功率PPR ：瞬变抑制二极管 的 PPR 取决于脉冲峰值电流IPP 和最大箝位电压Vc(max ) ， 除此以外， 还和脉冲波形、脉冲时间及环境温度有关。

　　6、 电容CPP： 瞬变抑制二极管 的电容由硅片的面积和偏置电压来决定， 电容在零偏情况下， 随偏置电压的增加， 该电容值呈下降趋势。 电容的大小会影响 瞬变抑制二极管 器件的响应时间。

　　7、 漏电流IR： 当最大反向工作电压施加到瞬变抑制二极管 上时， 瞬变抑制二极管 管有一个漏电流IR， 当 瞬变抑制二极管 用于高阻抗电路时，这个漏电流是一个重要的参数。

　　1、确定被保护电路的最大直流或连续工作电压、电路的额定标准电压和“高端”容限。

　　2、瞬变抑制二极管额定反向关断VWM 应大于或等于被保护电路的最大工作电压。若选用的VWM 太低，器件可能进入雪崩或因反向漏电流太大影响电路的正常工作。串行连接分电压，并行连接分电流。

　　3、 瞬变抑制二极管 的最大箝位电压VC 应小于被保护电路的损坏电压。

　　4、在规定的脉冲持续时间内，瞬变抑制二极管 的最大峰值脉冲功耗PM 必须大于被保护电路内可能出现的峰值脉冲功率。在确定 最大箝位电压后，其峰值脉冲电流应大于瞬态浪涌电流。

　　5、对于数据接口电路的保护，还必须注意选取具有合适电容C 的瞬变抑制二极管 器件。

　　6、根据用途选用瞬变抑制二极管 的极性及封装结构。交流电路选用双极性瞬变抑制二极管较为合理；多线保护选用瞬变抑制二极管 阵列更为有利。