●采用3. 3V电源;

　　●芯片内部的存储单元阵列为(256M +8. 192M) bit ×8bit , 数据寄存器和缓冲存储器均为(2k + 64) bit ×8bit ;

　　●具有指令/ 地址/ 数据复用的I/ O 口;

　　●在电源转换过程中, 其编程和擦除指令均可暂停;

　　●由于采用可靠的CMOS 移动门技术, 使得芯片最大可实现100kB 编程/ 擦除循环,该技术可以保证数据保存10 年而不丢失。

　　I/ O0～I/ O7 :数据输入输出口, I/ O 口常用于指令和地址的输入以及数据的输入/ 输出,其中数据在

　　读的过程中输入。当芯片没有被选中或不能输出时, I/ O 口处于高阻态。

　　CLE:指令锁存端,用于激活指令到指令寄存器的路径, 并在WE上升沿且CLE 为高电平时将指令锁存。

　　ALE: 地址锁存端, 用于激活地址到内部地址寄存器的路径,并在WE 上升沿且ALE 为高电平时,地址锁存。

　　CE: 片选端, 用于控制设备的选择。当设备忙时, CE 为高电平而被忽略, 此时设备不能回到备用状态。

　　RE: 读使能端,用于控制数据的连续输出,并将数据送到I/ O 总线。只有在RE的下降沿时,输出数据才有效, 同时, 它还可以对内部数据地址进行累加。

　　WE: 写使能控制端, 用于控制I/ O 口的指令写入,同时,通过该端口可以在WE脉冲的上升沿将指令、地址和数据进行锁存。

　　WP: 写保护端, 通过WP 端可在电源变换中进行写保护。当WP 为低电平时,其内部高电平发生器将复位。

　　R/ B : 就绪/ 忙输出, R/ B 的输出能够显示设备的操作状态。R/ B 处于低电平时,表示有编程、擦除或随机读操作正在进行。操作完成后, R/ B 会自动返回高电平。由于该端是漏极开路输出, 所以即使当芯片没有被选中或输出被禁止时, 它也不会处于高阻态。

　　PRE:通电读操作,用于控制通电时的自动读操作,PRE 端接到VCC可实现通电自动读操作。

　　●VCC :芯片电源端。

　　●VSS :芯片接地端。

　　●NC:悬空。

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