简单的平行板电容器的基本结构是由一个绝缘的中间介质层加外两个导电的金属电极，基本结构如下：

　　因此，多层片式陶瓷电容器的结构主要包括三大部分：陶瓷介质，金属内电极，金属外电极。而多层片式陶瓷电容器它是一个多层叠合的结构，简单地说它是由多个简单平行板电容器的并联体。

　　我国自八十年代从美国引进独石电容的生产线以来，至今已有十多年的生产经验。在生产工艺的某些方面，比如低烧独石电容器的生产、研究，已取得了不小的成绩。介质层数在150层以下的常规产品的电性能及可靠性，已与世界先进国家的水平相差无几。只是在更高层数、更高耐压、高可靠的产品性能方面同世界先进国家还存在一定的差距。

　　独石电容的整个生产工艺过程是一个十分复杂的过程，其对生产环境，生产设备的精度，原材料的选取都有十分苛刻的要求，我们流延成膜与丝网印刷工作间的洁净度一般控制在3000左右，世界级水平。

　　生产工艺流程：

　　一类为温度补偿类NPO电介质

　　这种电容器电气性能最稳定，基本上不随温度、电压、时间的改变，属超稳定型、低损耗电容材料类型，适用在对稳定性、可靠性要求较高的高频、特高频、甚高频电路中。

　　二类为高介电常数类X7R电介质

　　由于X7R是一种强电介质，因而能制造出容量比NPO介质更大的电容器。这种电容器性能较稳定，随温度、电压时间的改变，其特有的性能变化并不显着，属稳定电容材料类型，使用在隔直、耦合、傍路、滤波电路及可靠性要求较高的中高频电路中。

　　三类为半导体类Y5V电介质