EPROM的工作原理

• 　　EPROM是可编程器件,主流产品是采用双层栅(二层poly)结构,主要结构如图所示:
  

  　　浮栅中没有电子注入时,在控制栅加电压时,浮栅中的电子跑到上层,下层出现空穴。

  　　由于感应,便会吸引电子,并开启沟道。

  　　如果浮栅中有电子的注入时,即加大的管子的阈值电压，沟道处于关闭状态.这样就达成了开关功能。

  　　如图2所示,这是EPROM的写入过程,在漏极加高压，电子从源极流向漏极沟道充分开启.在高压的作用下，电子的拉力加强,能量使电子的温度极度上升，变为热电子(hot electrON).这种电子几乎不受原子的振动作用引起的散射,在受控制栅的施加的高压时,热电子使能跃过SiO2的势垒,注入到浮栅中。

  　　在没有别的外力的情况下,电子会很好的保持着.在需要消去电子时,利用紫外线进行照射,给电子足够的能量,逃逸出浮栅。

  　　EEPROM的写入过程，是利用了隧道效应，即能量小于能量势垒的电子能够穿越势垒到达另一边。
  

  　　量子力学认为物理尺寸与电子自由程相当时，电子将呈现波动性,这里就是表明物体要足够的小。

  　　就pn结来看,当p和n的杂质浓度达到一定水平时，并且空间电荷极少时，电子就会因隧道效应向导带迁移。

  　　电子的能量处于某个级别允许级别的范围称为"带",较低的能带称为价带,较高的能带称为导带。

  　　电子到达较高的导带时就可以在原子间自由的运动,这种运动就是电流。

  　　EEPROM写入过程,如图3所示,根据隧道效应,包围浮栅的SiO2,必须极薄以降低势垒。
  

  　　源漏极接地,处于导通状态.在控制栅上施加高于阈值电压的高压,以减少电场作用，吸引电子穿越。
  

  　　要达到消去电子的要求,EEPROM也是通过隧道效应达成的.如图4所示，在漏极加高压，控制栅为0V，翻转拉力方向，将电子从浮栅中拉出。这个动作，如果控制不好，会出现过消去的结果。