对已完成的SRAM存储器主板进行操作。在MSDOS模式下启动，利用DEBUG指令，从D0000h开始试着进行数据的读／写操作。如果确认了主板能够正常运行，则为各份电源连接器（CN2）提供电源，去掉个人计算机的电源，损耗电流在40μA左右。重新启动MS－DOS模式，读取刚才写人的地址，因为能够读出所写人的数据，因而可知各份电源是起到了相应的作用的。

　　由于从D0000h开始的领域为PC／AT的扩展BIOS领域，所以，如果SRAM上事先写入了附加头信息等的数据，则在操作系统启动前将被调用。在SRAM上安装各种经过仔细研究的程序进行试验，你就会有非常有趣的发现。

　　SRAM与闪速存储器等不同，它的替换操作是非常简单的，可以以1字节为单位进行替换，并且不需要替换时间。一旦拔掉电池数据将丢失，因而在实施ROM化之前的阶段，可以进行各种各样的实验，这是其方便之处。

　　1.  地址缓冲器

　　在提供给存储器的SA0～SA15地址中加人缓冲器。缓冲器利用74LS244也可以，但因为741LS245布线简单，所以通过74LS245可单向使用。

　　2.  数据缓冲器

　　因为数据需要双向进行，所以要利用74LS245进行接收。将栅极一直打开，通过对存储器的读信号来进行方向控制。本次我们采用将PLD上存储器的读信号设置为只在CS1有效时才输出的方法。

　　3.  PLD（MEMDEC）

　　LD应用于生成对存储器的片选、DE以及WE信号中。片选信号是在刷新周期以外、当地址高位（SA16～SA19）为Dh（将D0000h～DFFFFh设置在SRAM主板空间）、且BALE为低电平时被选择的。

　　将存储器的读／写信号设置为当片选和SMEMR／SMEMW有效时输出。

　　4.  各份电源的切换

　　电池各份的重点在于电源切换和片选信号的控制。本次为了简单起见，只单纯获取Vcc和电池（为CN2提供3.6V的电池）的二极管OR，但需要注意二极管正向电压降。如果电源电压比所提供的电压低很多，则可能发生超出操作电压或者输入引脚的电压高于电源电压的情况。

　　5.  片选控制