DDR存储器的主要优势就是能够同时在时钟循环的上升和下降沿提取数据，从而把给定时钟频率的数据速率提高1倍。例如，在DDR200器件中，数据传输频率为200 MHz，而总线速度则为100 MHz。

　　DDR1、DDR2和DDR3存储器的电压分别为2.5、1.8和1.5V，因此与采用3.3V的正常SDRAM芯片组相比，它们在电源管理中产生的热量更少，效率更高。

　　延时性是DDR存储器的另一特性。存储器延时性可通过一系列数字体现，如用于DDR1的2-3-2-6-T1、3-4-4-8或2-2-2-5。这些数字表明存储器进行某一操作所需的时钟脉冲数，数字越小，存储越快。

　　这些数字代表的操作如下：CL- tRCD – tRP – tRAS – CMD。要理解它们，您必须牢记存储器被内部组织为一个矩阵，数据保存在行和列的交叉点。

　　CL：列地址选通脉冲（CAS）延迟，是从处理器发出数据内存请求到存储器返回内存间的时间。

　　tRCD：行地址选通脉冲（RAS）到CAS的延迟，是激活行（RAS）和激活列（CAS）间的时间，其中，数据保存在矩阵中。

　　tRP：RAS预充电时间，是禁用数据行接入和开始另一行数据接入间的时间。

　　tRAS：激活预充电延时，是在启动下一次存储器接入前存储器必须等待的时间。

　　CMD：命令速率是存储芯片激活和向存储器发送第一个命令间的时间。有时，该值不会公布。它通常是T1（1个时钟速度）或T2（2个时钟速度）。

　　表1是在当今计算机中可以发现的RAM存储器芯片组的时钟和传输速率的比较，包括SDR、DDR、DDR2和未来的DDR3模块。

　　目前，有三代DDR存储器：