功率场效应管(MOSFET)与双极型功率相比具有如下特点：

　　1．场效应管(MOSFET)是电压控制型器件(双极型是电流控制型器件)，因此在驱动大电流时无需推动级，电路较简单；

　　2．输入阻抗高，可达108Ω以上；

　　3．工作频率范围宽，开关速度高(开关时间为几十纳秒到几百纳秒)，开关损耗小；

　　4．有较优良的线性区，并且场效应管(MOSFET)的输入电容比双极型的输入电容小得多，所以它的交流输入阻抗极高；噪声也小，最合适制作Hi-Fi音响；

　　5．功率场效应管(MOSFET)可以多个并联使用，增加输出电流而无需均流电阻。

　　（1） 漏极击穿电压 BUD 是不使器件击穿 漏 漏极击穿电压 BUD 的极限参数，它大于漏极电压额定值。BUD 随结温的升高而升高，这点正好与 GTR 和 GTO 相反。

　　（2） 漏极额定电压 UD UD 是器件的标称额定值。

　　（3）  UT 漏极电流 ID 和 IDM ID 是漏极直流电流的额定参数；IDM 是漏极脉冲电流幅值。

　　（4） 栅极开启电压 UT 又称阀值电压，是开通 Power MOSFET 的栅-源电压， 它为转移特性的特性曲线与横轴的交点。施加的栅源电压不能太大，否则将击穿器件。

　　（5） 跨导 gm gm 是表征 Power MOSFET 栅极控制能力的参数。