2008年11月21日，安森美半导体(ONSemiconductor)推出NUS6189新器件，将过压保护(OVP)电路的性能和功能、30VP沟道功率MOSFET、低饱和电压(VCE(sat))晶体管和低导通阻抗(Rds(on))功率MOSFET集成到节省空间的一个3.0mmx4.0mmx0.9mm封装之中。NUS6189设计用于保护敏感电子电路免受过压瞬态和电源故障影响。这器件经过优化，应用于使用外部交流-直流(AC-DC)适配器或车载充电器，如手机、便携式媒体播放器(PMP)和移动互联网设备(MID)。NU
ice:smarttags" />st="on" IsROCDate="False" IsLunarDate="False" Day="21" Month="11" Year="2008">2008年11月21日st1:chsdate>，安森美半导体(ON Semiconductor)推出NUS6189新器件，将过压保护(OVP)电路的性能和功能、30 V P沟道功率MOSFET、低饱和电压(VCE(sat))晶体管和低导通阻抗(Rds(on))功率MOSFET集成到节省空间的一个3.0 mmx4.0 mmx0.9 mm封装之中。NUS6189设计用于保护敏感电子电路免受过压瞬态和电源故障影响。这器件经过优化，应用于使用外部交流-直流(AC-DC)适配器或车载充电器，如手机、便携式媒体播放器(PMP)和移动互联网设备(MID)。
NUS6189将保护便携设备通常需要的四种不同器件功能集成至单颗集成电路(IC)中，减少所需印制电路板(PCB)空间多达40%。此外，这器件的集成设计提供极低的功率耗散，大幅减少发热量，并延长电池使用时间。NUS6189特别设计用于处理大浪涌峰值电流，与设计用于下一代便携设备的安森美半导体电源管理IC及领先的码分多址(CDMA)芯片组相辅相成。这器件的过压关闭时间短于1.0微秒(μs)，在故障发生时会极快地断开输入电源与负载之间的连接，因此它比现有关闭较慢的解决方案能提供更优异的保护性能。
安森美半导体数字及消费产品部副总裁兼总经理Manor Narayanan说：“安森美半导体持续领先业界，提供采用更小、更薄封装的创新高能效解决方案，不仅满足下一代应用的尺寸要求，还提供客户所需求的
