飞兆半导体公司(FairchildSemiconductor)推出全新超薄的高效率MicroFET产品FDMA1027，满足现今便携应用的尺寸和功率要求。FDMA1027是20VP沟道PowerTrench?MOSFET，FDFMA2P853则是20VP沟道PowerTrench?MOSFET，带有肖特基二极管，并采用2mmx2mmx0.55mmMLP封装。相比低电压设计中常用的3mmx3mmx1.1mmMOSFET，新产品的体积减小55%、高度降低50%。这种薄型封装选项可满足下一代便携产品如手机的超薄外形尺寸需求。FDMA1027和FDFMA2P853
飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)推出全新超薄的高效率MicroFET产品FDMA1027，满足现今便携应用的尺寸和功率要求。FDMA1027是20V P沟道PowerTrench?MOSFET，FDFMA2P853则是20V P沟道PowerTrench?MOSFET，带有肖特基二极管，并采用st="on" TCSC="0" NumberType="1" Negative="False" HasSpace="False" SourceValue="2" UnitName="mm">2mmst1:chmetcnv>x2mmx0.55mmMLP封装。相比低电压设计中常用的3mmx3mmx1.1mmMOSFET，新产品的体积减小55%、高度降低50%。这种薄型封装选项可满足下一代便携产品如手机的超薄外形尺寸需求。
FDMA1027和FDFMA2P853专为更高效率而设计，能够解决影响电池寿命的丰富功能的功率挑战。这些器件采用飞兆半导体专有的PowerTrench?MOSFET工艺，能降低传导和开关损耗，提供卓越的功率消耗和降低传导损耗。与采用2mmx2mmSC-70封装类似尺寸的器件比较，FDMA1027和FDFMA2P853提供更低的传导损耗(降低约60%)，并且能够耗散1.4W功率，而SC-70封装器件的功率消耗则为300mW。
