CMOS射频集成电路,CMOS射频集成电路的发展,功能单元,研究方向
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CMOS射频集成电路,CMOS射频集成电路的发展,功能单元,研究方向  2011/10/3

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  • CMOS射频集成电路的发展
  • CMOS射频集成电路的功能单元
  • CMOS射频集成电路的研究方向
CMOS射频集成电路

CMOS射频集成电路的发展

  •   在过去的十年中,寻呼机、无绳电话、模拟及数字蜂窝电话等个人通信系统以及数字电视、广播得到了迅猛发展,对重量轻、体积小、功耗低、成本低的收发器的需求也迅速增加,提高收发器的集成度无疑是满足上述需求的重要途径。在以往的收发器中,数字处理部分通常采用低成本的标准CMOS工艺,射频前端一般采用GaAs、Bipolar或BiCMOS工艺。由于数字处理部分的通常占到芯片面积的75%以上,集成度及功耗等指标的要求使得不可能以CMOS以外的其他工艺实现,所以只有实现CMOS集成射频前端,才能实现单片集成的收发器并最终实现单片集成的移动通信产品。目前随着CMOS工艺的发展,它的单位增益截止频率已经接近GaAs水平,同时出现了一些采用CMOS工艺实现的射频前端的单元电路及收发器。这也使得采用CMOS工艺实现移动通信产品的单芯片集成成为可能。在CMOS射频集成电路发展中,最迫切的和最困难的是要发展高性能的新器件和新的单元电路,它们是实现单片CMOS集成射频前端的基础。其中包括:高Q值的无源器件(如电感、电容和变容管等等)、低相位噪声的压控振荡器和高附加效率、高线性度的功率放大器等等。

CMOS射频集成电路的功能单元

  •   1、低噪声放大器是收发器中接收部分的第一个模块,其重要的指标有两项:噪声指数——确定了最小可检测信号;三阶输入截止点与噪声指数一起确定了无杂散输出动态范围。此外还有一些附加要求,比如适当的增益和低直流功耗等。

      2、混频器是射频前端最关键的模块,它实现了频率变换过程。混频器的设计要综合考虑线性度、转换增益、端口到端口的隔离度等指标,其中最关键的指标是线性度。

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