设p型层的电阻是均匀的，两电极间的距离为2L,流过两电极的电流分别为I1和I2,则流过n型层上电极的电流I0为I1和I2之和。I0= I1+I2

　　当光束入射到PSD器件光敏层上距中心点的距离为xA时，在入射位置上产生与入射辐射成正比的信号电荷，此电荷形成的光电流通过电阻p型层分别由电极1与2输出。

　　工艺流程为： 清洗氧化→LTO→增密→光刻磷电极区→刻蚀→注入磷→去胶→推进氧化→光刻硼电极区→刻蚀→去胶→生长薄二氧化硅→第二次光刻硼电极区→注入硼→去胶→推进氧化→刻蚀→去胶→光敏区氧化→第二次光刻光敏区→注入BF2 →去胶→退火→生长SN →光刻引线孔→刻蚀SN →刻蚀二氧化硅→去胶→反刻铝→湿法刻蚀铝→去胶→合金。

　　其中关键工艺点包括：低温氧化工艺、二次光刻光敏区工艺、光敏区内外电阻率比控工艺。

　　（1） 低温工艺。低温掺氯氧化即TCA氧化工艺，其氧化层生长速率慢，厚度均匀，氯与硅不发生化学反应。生成的氧化层缺陷密度低，它克服了高温工艺氯的腐蚀问题，可以制得高质量且厚度比较薄的氧化层。这对于半导体光电位置传感器的制作非常重要，在避免高温工艺的同时在低温工艺中有更大的选择余地。

　　
　　（2） 二次光刻光敏区工艺。采用此技术，在第一次光刻后去掉胶层，进行氧化层的生长，约为500 A左右；然后进行第二次光刻，透过二氧化硅层进行光敏区BF2 的离子注入。这有两个方面好处，一是可有效地保护光敏区的表面，保护二氧化硅和硅的界面；二是利用其屏蔽作用制得满足器件要求的结深。

　　（3） 光敏区内外电阻率比控工艺。影响高分辩率的因素有结深、边界条件及有效光敏区内外电阻率之比等。对于同一种器件结构，光敏区在一个最佳结深条件下（0.32μm） 有最大的分辩率。此时光电流大，分辩率高。最佳注入条件为：磷注入， 能量为60Kev , 剂量为4E15;硼注入， 能量60Kev , 剂量为1E13;光敏注入，能量为40Kev ,剂量为4E13。当有效光敏区内外电阻率之比为25时，在整个光敏区域75%的范围内可得到均匀一致的位移分辨能力，这时的非线性起伏小于0.1%, PIN结构可得到0.5mV/5μm 的分辨能力。