瞬态电压抑制器,瞬态电压抑制器的特性,主要参数,分类,选用,与压敏电阻的比较
电子元件,电子元器件深圳市创唯电子有限公司
您现在的位置: 首页 > 电子知识 > 瞬态电压抑制器,瞬态电压抑制器的特性,主要参数,分类,选用,与压敏电阻的比较
瞬态电压抑制器,瞬态电压抑制器的特性,主要参数,分类,选用,与压敏电阻的比较  2011/10/3

目录

  • 瞬态电压抑制器的特性
  • 瞬态电压抑制器的主要参数
  • 瞬态电压抑制器与压敏电阻的比较
  • 瞬态电压抑制器的分类
  • 瞬态电压抑制器的选用
瞬态电压抑制器

瞬态电压抑制器的特性

  •   瞬态电压抑制器的正向特性与普通二极管相同,反向特性为典型的PN结雪崩器件。在浪涌电压的作用下,TVS两极间的电压由额定反向关断电压VWM上升到击穿电压Vbr而被击穿。随着击穿电流的出现,流过TVS的电流将达到峰值脉冲电流IPP,同时在其两端的电压被箝位到预定的最大箝位电压VC以下。其后,随着脉冲电流按指数衰减,TVS两极间的电压也不断下降,最后恢复到初态,这就是TVS抑制可能出现的浪涌脉冲功率,保护电子元器件的过程。

瞬态电压抑制器的主要参数

  •   (1)最大反向漏电流ID和额定反向关断电压VWM。VWM是TVS最大连续工作的直流或脉冲电压,当这个反向电压加于TVS的两极间时它处于反向关断状态,流过它的电流应小于或等于其最大反向漏电流ID;

      (2)最小击穿电压VBR和击穿电流IR。VBR是TVS最小的击穿电压。在25℃时,低于这个电压TVS是不会发生雪崩的。当TVS流过规定的1mA电流(IR)时,加于TVS两极的电压为其最小击穿电压VBR。按TVS的VBR与标准值的离散程度,可把VBR分为5%和10%两种。对于5%的VBR来说,VWM=0.85VBR;对于10%的VBR来说,VWM=0.81VBR;

      (3)最大箝位电压VC和最大峰值脉冲电流IPP。当持续时间为20mS的脉冲峰值电流IPP流过TVS时,在其两端出现的最大峰值电压为VC。VC、IPP反映了TVS的浪涌抑制能力。VC与VBR之比称为箝位因子,一般在1.2~1.4之间;

      (4)电容量C。电容量C是由TVS雪崩结截面决定的,是在特定的1MHz频率下测得的。C的大小与TVS的电流承受能力成正比,C太大将使信号衰减。因此,C是数据接口电路选用TVS的重要参数;

      (5)最大峰值脉冲功耗PM。PM是TVS能承受的最大峰值脉冲功率耗散值。在给定的最大箝位电压下,功耗PM越大,其浪涌电流的承受能力越大;在给定的功耗PM下,箝位电压VC越低,其浪涌电流的承受能力越大。另外,峰值脉冲功耗还与脉冲波形、持续时间和环境温度有关。而且,TVS所能承受的瞬态脉冲是不重复的,器件规定的脉冲重复频率(持续时间与间歇时间之比)为0.01%。如果电路内出现重复性脉冲,应考虑脉冲功率的累积,有可能损坏TVS;

      (6)箝位时间TC。TC是从零到最小击穿电压VBR的时间。对单极性TVS小于1×10-12S;对双极性TVS小于10×10-12S。

与《瞬态电压抑制器,瞬态电压抑制器的特性,主要参数,分类,选用,与压敏电阻的比较》相关列表
电话:400-900-3095
QQ:800152669
库存查询
Copyright(C) 2011-2021 Szcwdz.com 创唯电子 版权所有 备案号:粤ICP备11103613号
专注电子元件代理销售  QQ:800152669  电子邮件:sales@szcwdz.com  电话:400-900-3095