在每平方英寸芯片面积上制成200兆单元的MOSFET工艺技术，使集成度提高了4倍
分立半导体器件制造商GeneralSemiconductor公司（位于纽约州的Melville）,具有在每平方英寸芯片面积上制成200兆单元的专有MOSFET工艺技术。采用这种技术可以进一步缩小功率MOSFET。该项工艺技术可以使集成度提高4倍,或者可以使称为GENFET的器件缩小50%,因而它比现有的器件,更适合移动电话机,笔记本电脑,PDA,以及其它的无线电产品的应用。
General Semiconductor公司的GENFET MOSFET器件,采用专有的200兆单元/平方英寸的工艺技术,比以前的工艺缩小了50％;导通电阻RDS（ON）达到0.41mΩ/cm2,比原先采用49兆单元/每平方英寸工艺制造的器件,改进了40％
GENFET器件是采用该公司的0.35μm,深槽工艺制造的。在30Vp沟道器件中,PDS（on）可以达到0.41mΩ/cm2,比现有的49兆单元/平方英寸的器件,提高了40%。除此而外,它的性能系数,即导通电阻与栅极电荷的乘积,提高了60%。结果使器件的效率得到提高,功率耗散得到降低。
GENFET MOSFET采用6根引出端的SOT-23和SOT-363封装,在今年2季度末可以提供样品,今年夏季开始批量生产。如果希望进一步了解情况,请和General Semiconductor公司的Ron Clifford联系。电话号码为：001-631-847-3355;fax为：001-631-847-3022;电子邮箱为：rclifford@gensemi.com。
