非晶硅太阳电池有较好的光谱响应特性，在低 光强下有更好的转换效率，在阴雨天气和沙尘天气仍然可以继续工作，因此其单位功率累计发电量比晶体硅大”
　　非晶硅的禁带宽度较大，约为1.7eV（单晶硅材料的能带宽度为1.12eV，砷化镓的能带宽度为1.4eV），所以非晶硅电池要比单晶硅和砷化镓电池具有更好的抗辐射性、高的充电效率（由于其特殊的温度特性）
　　非晶硅薄膜太阳电池的抗辐射能力高于单晶硅电池和砷化镓电池50-100倍，而且多结非晶硅太阳电池具有更高的抗辐射能力。
　　在同样的工作温度下，非晶硅太阳电池的饱和电流远小于单晶硅太阳电池和砷化镓太阳电池，而短路电流温度系数却高于晶体硅电池的1倍，约为 40mA/℃?cm-1,这十分有利在较高温度下保持较高的Voc和FF。